さらに詳細なSiCウェハ加工の基礎研究成果を。
こんにちは。ナガセインテグレックスの杉本です。
セミコン2011において、SiCパワー半導体の量産化に向けた
ウェハ加工の基礎加工研究成果を発表したナガセ。
お陰さまで、ウェハ、デバイスメーカーの方をはじめ数多くの方に、
弊社小間へご来場頂き、好評を頂きました。
特に多くの方にご関心を持って頂いたSiC加工の基礎研究
「NANO SURF STUDY」については、さらに力を入れて、
2012年も継続していきます。
1月18日（水）～20日（金）東京ビッグサイトで開催の
NEPCON2012では、セミコンでの発表内容に加えて、
次の3点に関して、より詳細な成果をお届けします。
①SiCパワー半導体のBG工程での最適条件の検証
⇒これまでの研究より得られた結果から、BG工程において、
最適であると思われる条件に関して、さらに詳細に検証。
ラップレス研削加工に必要な要素をお伝えします。
②SiCパワー半導体のレーザースクライブ・ブレイク加工
⇒NEPCONでは、セミコン2011にて発表した「割断加工」に
ついて独立したカタチで成果発表を行い、メタル層つき
ウェハ等の割断などの成果をより詳細にお伝え致します。
③放熱材料、極度に脆いウェハのレーザー割断事例
⇒SiCパワー半導体に適した放熱材の新材料の高精度割断加工、
タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの極度に脆い
ウェハ材料。前回発表した極厚セラミックス、極薄水晶など
「難しすぎて、あえて他社がやらない加工」について、
お伝えさせて頂きます。
●ウェハ、デバイスメーカー様に向けて、SiC加工の基礎研究「Nano Surf Study」の成果発表会を実施。
SEMICON 2012同様に、ナガセでは、半導体・電子部品メーカー、
またはSiCやGaN、セラミックスメーカーの開発者、製造技術の方に向けて、
SiCパワー半導体の量産化に向けた基礎研究研究成果をセミクローズド発表致します。
上記に該当される方に向けて、今回も各回先着2名様の事前予約を行います。
本加工成果発表会への参加を希望される方は、下記からご希望の回を選び、
(1)氏名、(2)会社名、(3)部署、(4）ご役職を添えて、icアットマークnagase-i.co.jpまでメールでご連絡ください。
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■SiCパワー半導体の加工の基礎研究成果発表会日時
「NANO SURF STUDY 2012 in NEPCON」
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○全開催日共通（1/18～20日）
（G1)10:30～11:00 SiCパワー半導体の研削加工の基礎研究成果
（S1)11:10～11:30 難削材のぐっとくるレーザー割断加工
（G2)12:00～12:30 SiCパワー半導体の研削加工の基礎研究成果
（S2)12:40～13:00 難削材のぐっとくるレーザー割断加工
（G3)13:30～14:00 SiCパワー半導体の研削加工の基礎研究成果
（S3)14:10～14:30 難削材のぐっとくるレーザー割断加工
（G4)15:00～15:30 SiCパワー半導体の研削加工の基礎研究成果
（S4)15:40～16:00 難削材のぐっとくるレーザー割断加工
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※発表会の定員は各回8名となっております。
定員数を超えた場合には、受講できませんので、何とぞご了承ください。
（予約は、半導体・電子部品メーカーの方に限らせて頂きます）
出展概要は下記の通りです。
第13回国際電子部品商談展（NEPCON Japan 2012内）
期間：2012年1月18日（水）～20日（金）
場所：東京ビッグサイト
小間番号：東16-38（パワーエレクトロニクス技術ゾーン）
【招待券請求・事前来場登録は下記より】
https://contact.reedexpo.co.jp/expo/NWJ/?lg=jp&tp=inv&ec=PEF
皆さまのご来場をお待ちしております。